ABB  3BSE019990R4   模塊

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集成門極換向晶閘管 (IGCT)所有 Hitachiergy IGCT(集成門極換向晶閘管)都是壓裝設(shè)備。它們以相對較大的力壓在散熱器上，散熱器也用作電源端子的電觸點。　　IGCT 的開啟/關(guān)閉控制單元是組件的一個組成部分。它只需要一個外部電源，其控制功能可通過光纖連接方便地訪問。該設(shè)備的控制功耗通常在 10 - 100 W 之間?！　GCT 針對低傳導(dǎo)損耗進行了優(yōu)化。其典型的開啟/關(guān)閉開關(guān)頻率在 500 赫茲范圍內(nèi)。然而，與 GTO 相比，開關(guān)頻率上限僅受工作熱損耗和系統(tǒng)散熱能力的限制。此功能與器件在開啟和關(guān)閉狀態(tài)之間的快速轉(zhuǎn)換相結(jié)合，可實現(xiàn)開關(guān)頻率高達(dá) 40 kHz 的短開關(guān)脈沖群?！　GCT 需要一個導(dǎo)通保護網(wǎng)絡(luò)(本質(zhì)上是一個電感器)來限制電流上升率。但是，與 GTO 相比，關(guān)斷保護網(wǎng)絡(luò)是可選的。它可以以略微降低的關(guān)斷電流能力為代價被省略?！　GBT 和 IGCT 是四層器件，乍一看并沒有什么不同。但是，當(dāng)您“ 深入了解”時，您會發(fā)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和集成(有時稱為“絕緣 ”)門極換向晶閘管 (IGCT) 并不相似。雙極晶體管構(gòu)成了 IGBT 的基礎(chǔ)，而 IGCT 則與柵極關(guān)斷晶閘管 (GTO) 相關(guān)。IGBT 和 IGCT 都是為工業(yè)應(yīng)用而開發(fā)的。IGBT 可以在 10+ 千赫茲 (kHz) 的頻率下切換，而 IGCT 的最大頻率限制在 1 kHz 左右?！　”境Ｒ妴栴}解答首先簡要回顧 IGBT 的操作，深入探討 IGCT 的工作原理，最后比較兩種技術(shù)?！　GBT 的開發(fā)旨在將功率 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動要求與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。它們是在單個器件中由隔離柵 MOSFET 控制的雙極電源開關(guān)的組合(圖 1)。IGBT 設(shè)計用于快速和低功率電容開關(guān)，驅(qū)動高電壓和高電流負(fù)載。隔離柵是一個MOSFET結(jié)構(gòu)，不是一個單獨的MOSFET。MOSFET 柵極結(jié)構(gòu)取代了雙極晶體管的基極，由此產(chǎn)生的 IGBT 具有發(fā)射極、柵極和集電極引腳?！　』镜?IGBT 操作很簡單：　　從柵極到發(fā)射極的正電壓 (U GE ) 打開 MOSFET 柵極。　　這使得連接到集電極的電壓能夠驅(qū)動基極電流通過雙極晶體管和 MOSFET;　　雙極晶體管導(dǎo)通，負(fù)載電流流過 IGBT?！　￡P(guān)斷IGBT，用U GE ≤ 0 V的電壓關(guān)斷 MOSFET，中斷基極電流，關(guān)斷雙極晶體管，IGBT停止導(dǎo)通電流。　　IGBT 單向傳導(dǎo)電流。由于 MOSFET 柵極的容性特性，柵極電流只需對柵極電容充電即可開啟器件。雖然柵極結(jié)構(gòu)的電容特性限制了控制 IGBT 所需的功率量，但該器件的雙極特性將其開關(guān)頻率限制在最大約 30 kHz。然而，降低開關(guān)損耗的諧振拓?fù)淇梢允?IGBT 以更高的頻率進行開關(guān)?！　∨c功率 MOSFET 不同，IGBT 沒有固有的本體或續(xù)流二極管。但是，需要一個二極管通過提供續(xù)流路徑來防止反向電流來保護 IGBT。一些 IGBT 帶有集成二極管;否則，必須在電路中添加一個二極管?！　√砑虞o助發(fā)射極以減少柵極電路中雜散電感的影響可以提高 IGBT 開關(guān)性能( 圖 2)。輔助發(fā)射極不承載負(fù)載電流;它減少了電感耦合產(chǎn)生的失真，清理了開關(guān)波形，并簡化了電磁兼容設(shè)計?！　GBT 用于中高功率開關(guān)電源、可再生逆變器、牽引電機驅(qū)動、感應(yīng)加熱和類似應(yīng)用，最高可達(dá)數(shù)百千瓦。大型 IGBT 通常由許多并聯(lián)器件組成，其阻斷電壓高達(dá) 6,500 V，能夠處理數(shù)百安培。雖然 IGBT 的開關(guān)速度比 IGCT 快，但它們的開關(guān)頻率低于功率 MOSFET。對于需要 300V 和 600V 之間器件的電源轉(zhuǎn)換器，可以使用 IGBT 和 MOSFET，具體取決于應(yīng)用的具體需求;低于 600V，MOSFET 占主導(dǎo)地位，高于 600V ，IGBT 占主導(dǎo)地位。與 IGBT 一樣，IGCT 是用于自換向功率轉(zhuǎn)換器的完全可控功率開關(guān)?！　GCT 基礎(chǔ)知識　　IGCT 是相當(dāng)于 IGBT 的晶閘管。由于它們是一種晶閘管，因此 IGCT 以壓裝包裝形式交付。這與 IGBT 形成鮮明對比，IGBT 可用于更廣泛的應(yīng)用，并提供更廣泛的封裝樣式(圖 3)。 IGCT 是 GTO 與集成柵極結(jié)構(gòu)的組合。它通過簡化的柵極驅(qū) 動提供 GTO 的高功率密度和低傳導(dǎo)損耗。　　 IGCT 將柵極驅(qū)動結(jié)構(gòu)與柵極換向晶閘管 (GCT) 晶圓級器件集成在一起。IGCT 和 GTO(IGCT 的來源) 均由柵極信號控制，并且都可以承受高 di/dt 率，這意味著大多數(shù)應(yīng)用不需要緩沖器。在 IGCT 中，關(guān)閉器件所需的柵極電流高于陽極電流。高柵極電流與高 di/dt 比率相結(jié)合意味著傳統(tǒng)互連不能用于將 IGCT 連接到柵極驅(qū)動器。相反，柵極驅(qū)動 PCB 和 IGCT 作為一個單元交付。柵極驅(qū)動器用連接到 IGCT 邊緣的大圓形導(dǎo)體圍繞器件。大的接觸面積和極短的連接距離降低了柵極連接的電感和電阻，　　與大多數(shù)晶閘管一樣，IGCT 被制造為單個晶圓(圖 4)。這與作為一系列單元制造的 IGBT 形成對比，每個單元的構(gòu)造類似于 n 溝道垂直功率 MOSFET，除了用 p+ 集電極層代替 n+ 漏極并形成垂直 PNP 雙極結(jié)型晶體管。IGCT 的柵極結(jié)構(gòu)和驅(qū)動拓?fù)渲С直?GTO 快得多的關(guān)斷時間。GTO 通常限于在 500 Hz 下運行，而 IGCT 可以在短時間內(nèi)以高達(dá)幾 kHz 的頻率運行，長期最大開關(guān)頻率為 500 Hz。IGCT 的額定關(guān)斷電流為 520 至 5,000 A，典型阻斷電壓額定值為 4,500、 5,500 和 6,500 V。它們用于工業(yè)和牽引驅(qū)動、變頻逆變器和交流隔離開關(guān)。多個 IGCT 可以串聯(lián)或并聯(lián)運行以用于更高功率的應(yīng)用。IGBT 的原理圖符號源自 MOSFET 的符號，而 IGCT 的原理圖符號源自晶閘管的符號(圖 5)?！I857K01 3BSE018144R1,CI858K01 3BSE018135R1 CI868K01-eA3BSE048845R2,CI854AK01,CI855K01,CI856K01,CI862K01,CI865K01,CI857K01,CI858K01,CI867K01.CI868K01 ABB冗余模塊CI860K01 3BSE032444R1,CI857K01 3BSE018144R1,CI858K01 3BSE018135R1 CI868K01-eA3BSE048845R2,CI854AK01,CI855K01,CI856K01,CI862K01,CI865K01,CI857K01,CI858K01,CI867K01.CI868K01 ABB冗余模塊CI860K01 3BSE032444R1,　IGCT 具有三種結(jié)構(gòu)：　　能夠阻斷反向電壓的 IGCT 稱為對稱 IGCT，或 S-IGCT。反向阻斷和正向阻斷額定電壓通常相同?！　〔荒茏钄喾聪螂妷旱?IGCT 稱為不對稱 IGCT ，或 A-IGCT。它們通常具有幾十伏的反向擊穿額定值。A-IGCT 用于永遠(yuǎn)不會出現(xiàn)反向電壓的地方，例如開關(guān)電源或直流牽引驅(qū)動器。或與并聯(lián)反向?qū)ǘO管結(jié)合使用，例如在電壓源逆變器中。　　在同一封裝中帶有反向?qū)ǘO管的非對稱 IGCT 稱為反向?qū)?IGCT ，即 RC-IGCT?！　?IGBT 與 IGCT 　　由于工作原理不同，很難使用數(shù)據(jù)表額定值比較 IGBT 和 IGCT。此外，IGBT 可提供更廣泛的封裝，從而提供更廣泛的工作能力。通過限制與緊壓封裝器件的比較，IGBT 和 IGCT 可以使用多個因素進行比較，例如是否需要緩沖器、它們的導(dǎo)通狀態(tài)電壓、導(dǎo)通和關(guān)斷能量損耗、柵極電路要求和開關(guān)頻率(表 1)?！　GBT 和 IGCT 是完全可控的四層功率開關(guān)，用于自整流功率轉(zhuǎn)換器。IGBT 源自雙極晶體管，而 IGCT 則基于門極可關(guān)斷晶閘管 (GTO)。因此，與 IGCT 相比，IGBT 可用于更低電壓和更低功率的應(yīng)用，IGCT 主要用于需要至少 4,200 V 的工作電壓和超過 500 A 的電流的應(yīng)用。IGCT 是較慢的開關(guān)器件，通常限制在大約500 Hz，而 IGBT 可以工作在幾十 kHz。　　參考　　應(yīng)用 IGCT、ABB/Hitachi　　IGBT 和 IGCT 比較、MB Drive Services　　用于比較模塊化多電平轉(zhuǎn)換器中 IGCT 和 IGBT 的品質(zhì)因數(shù)和電流指標(biāo)，EPE'20 ECCE Europe　　IGBT：絕緣柵雙極晶體管如何工作?, Infineon　　IGCT 技術(shù) — 高功率轉(zhuǎn)換器的量子飛躍, ABB 　　　最小空間中的集中功能　　D3 控制器是控制器和可選安全控制器的完美組合。右側(cè)可靈活連接1、2或3軸控制器。　　因此，可以實現(xiàn)從簡單的 PLC 應(yīng)用到復(fù)雜的多機器人和機床。即使是復(fù)雜的系統(tǒng)也可以輕松、安全、高效地實現(xiàn)自動化?！∵x項　　D3 控制器有兩種性能等級和不同的主接口。作為實時主站，您可以在 2 x EtherCAT 或 1x Sercos 3 和 1x EtherCAT 之間進行選擇?！　《鄥f(xié)議以太網(wǎng)從接口支持與主控制器的實時連接?？蛇x的可自由編程的安全控制器已經(jīng)具有板載安全輸入和輸出，因此可以實現(xiàn)安全 PLC、安全運動和安全機器人應(yīng)用?！　】刂啤　∮糜?PLC、運動控制、機器人技術(shù)和 CNC 的 D3 控制器功能強大且非常靈活。從 Intel Atom 四核 1.9 GHz 到 Intel Celeron 2 GHz 的不同 CPU 版本可實現(xiàn)應(yīng)用程序優(yōu)化的計算能力，因此可視化、圖像處理、 PLC、運動、機器人和 CNC 可以在單個控制系統(tǒng)上經(jīng)濟高效地運行。兩行顯示支持控制器和驅(qū)動器的快速配置和診斷?！　∫慌_設(shè)備的控制和安全控制　　DU 3x5 中集成的安全選項是機器人安全解決方案的核心。得益于集成設(shè)計，控制柜的緊湊性要求得到了特別好的滿足。該安全控制器執(zhí)行安全邏輯，并結(jié)合編碼器盒，還可以對軸相關(guān)和空間運動進行安全監(jiān)控?！　】梢苑奖愕貙嵤┖唵蔚陌踩蝿?wù)直至擴展的面向安全的機器人解決方案。安全控制器已有 30 個故障安全輸入或輸出，并可通過 EtherCAT (FSoE) 實現(xiàn)簡單的擴展性。　　具有大量預(yù)定義功能的圖形化編程工具可以輕松地對安全傳感器和執(zhí)行器乃至整個機器人進行項目規(guī)劃。輸入和輸出可以通過拖放方便地鏈接到安全邏輯?！　∮糜趶?fù)雜解決方案的高性能伺服控制器　　 ServoOne 產(chǎn)品系列的模塊化設(shè)計確保其始終以最佳方式集成到您的機器過程中。一個微調(diào)的單軸系統(tǒng)和一個節(jié)能的多軸系統(tǒng)涵蓋了廣泛性能范圍內(nèi)的所有應(yīng)用。無論是使用與中央多軸機器控制器的高速現(xiàn)場總線通信，還是在驅(qū)動控制器中使用分布式運動控制智能， ServoOne 都能勝任。您的優(yōu)勢一目了然　　額定電流：4 - 450 A　　過載系數(shù)：高達(dá) 300 %　　冷卻方式：風(fēng)冷高達(dá) 170 A / 液冷 16 至 450 A 　　可選的集成制動電阻器：風(fēng)冷高達(dá) 32 A / 液冷高達(dá) 450　　為您的機器提供強大的控制工程　　高達(dá) 16 kHz 的采樣頻率可實現(xiàn)最佳電機控制　　用于精確路徑精度的預(yù)測前饋控制結(jié)構(gòu)　　用于抑制機械振動的濾波器　　使用獲得專利的 GPOC 方法校正編碼器錯誤　　補償電機轉(zhuǎn)矩脈動和摩擦轉(zhuǎn)矩　　機械主軸誤差的修正　　無絕對值編碼器同步電機的自動換相發(fā)現(xiàn)　　同步電機的無傳感器控制　　功能包　　ServoOne 產(chǎn)品系列的控制器可以與專門定制的功能包一起訂購。然后，它們會配備擴展軟件，如果適用，還會配備硬件。iPLC 功能包可以與其他功能包結(jié)合使用?！　≡摦a(chǎn)品系列可以靈活地集成到控制和自動化工程中?！　?ServoOne 提供范圍廣泛的不同現(xiàn)場總線系統(tǒng)?！　』趯崟r以太網(wǎng)的通信接口，例如：　　 EtherCAT、Sercos III、PROFINET IRT 或 PowerLink　　Sercos II + III 作為機床中已建立的通信接口　　久經(jīng)考驗的現(xiàn)場總線接口，例如基于 DS301/DSP402 配置文件的 CANopen 和 PROFIBUS DPV1 完善了 ServoOne 現(xiàn)場總線產(chǎn)品組合。　　液壓功能包　　伺服液壓系統(tǒng)(“伺服泵 ”)結(jié)合了電動伺服系統(tǒng)的優(yōu)點和液壓驅(qū)動的功率密度。泵電機的伺服控制提供液壓狀態(tài)變量(壓力、流量、氣缸位置，如果適用)的閉環(huán)控制?！　?iPLC 功能包 - IEC 61131 編程　　IEC 61131 可編程 iPLC 與驅(qū)動控制器共享 ServoOne 微控制器平臺。這允許以最佳方式訪問所有系統(tǒng)和控制參數(shù)以及接口。　　小伺服器　　性能范圍較低端的高性能伺服控制器　　ServoOne Junior 伺服控制器針對性能范圍的低端進行了優(yōu)化，具有 ServoOne 產(chǎn)品系列的所有技術(shù)特性。ServoOne 系列伺服控制器的完整功能兼容性和處理始終得到保證?！　?ServoOne Junior 可輕松彌合成本優(yōu)化、最小尺寸和最大功能之間的差距。高速現(xiàn)場總線系統(tǒng)和最新編碼器接口的集成保證了面向未來的靈活性。廣泛的運動控制功能提供了廣泛的可能解決方案。　　 3 - 8 A 額定電流，1/3 x 230 V AC　2 - 16 A 額定電流，3 x 400 - 480 V AC　　過載能力高達(dá) 300 %　HF功能包(高頻)　　HF 功能包非常適合主軸和渦輪機。其主要特性包括 1600 Hz 的最大旋轉(zhuǎn)場頻率、高達(dá) 16 kHz 的可選開關(guān)頻率和經(jīng)過調(diào)整的控制結(jié)構(gòu)?！PU出現(xiàn)于大規(guī)模集成電路時代，處理器架構(gòu)設(shè)計的迭代更新以及集成電路工藝的不斷提升促使其不斷發(fā)展完善。從最初專用于數(shù)學(xué)計算到廣泛應(yīng)用于通用計算，從4位到8位、16位、 32位處理器，最后到64位處理器，從各廠商互不兼容到不同指令集架構(gòu)規(guī)范的出現(xiàn)，CPU 自誕生以來一直在飛速發(fā)展。 [1] CPU發(fā)展已經(jīng)有40多年的歷史了。我們通常將其分成六個階段。 [3] (1)第一階段(1971年- 1973年)。這是4位和8位低檔微處理器時代，代表產(chǎn)品是Intel 4004處理器。 [3] 1971年，Intel生產(chǎn)的4004微處理器將運算器和控制器集成在一個芯片上，標(biāo)志著CPU的誕生; 1978 年，8086處理器的出現(xiàn)奠定了X86指令集架構(gòu)， 隨后8086系列處理器被廣泛應(yīng)用于個人計算機終端、高性能服務(wù)器以及云服務(wù)器中。 [1] (2)第二階段 (1974年-1977年) 。這是8位中高檔微處理器時代，代表產(chǎn)品是Intel 8080。此時指令系統(tǒng)已經(jīng)比較完善了。 [3] (3)第三階段(1978年-1984年)。這是16位微處理器的時代，代表產(chǎn)品是Intel 8086。相對而言已經(jīng)比較成熟了。CI857K01 3BSE018144R1,CI858K01 3BSE018135R1 CI868K01-eA3BSE048845R2,CI854AK01,CI855K01,CI856K01,CI862K01,CI865K01,CI857K01,CI858K01,CI867K01.CI868K01