IGCT 5SHY3545L0016 近年來，在新能源輸送和大規(guī)模儲能的驅動下，直流電網在世界各國的發(fā)展勢不可擋。高壓大容量功率半導體器件作為MMC、直流斷路器、直流變壓器、直流耗能裝置等直流主干網絡關鍵裝備的核心元件，是學術研究的前沿話題，也是產業(yè)應用的關注熱點。IGBT具有驅動功率小而且驅動電路簡單、開關速度快、耐壓高、電流大等優(yōu)點，在柔性直流電網中得到了廣泛的應用。而事實上，盡管IGBT優(yōu)勢突出，但是相比電流型器件，仍然存在通態(tài)壓降大、可靠性低、制造成本高等問題，具有很多改進的空間。尤其是在高壓大容量應用中，所使用的開關器件數(shù)量非常大，若能改進這些特性，進一步提高效率和可靠性、減小成本，將會具有很大的吸引力和應用前景。

5SHY3545L0016建立了高精度快速求解的GCT芯片物理機理模型，在秒級時間范圍內完成開通、關斷仿真，為IGCT的參數(shù)優(yōu)化和性能調控奠定了理論基礎；（2）提出了GCT芯片的參數(shù)優(yōu)化及性能調控方法，降低了電流不均勻分布系數(shù)，關斷能力得到較大幅度提升；（3）提出了GCT芯片的關鍵制備工藝優(yōu)化方案和缺陷檢測方法；（4）提出了GCT新型門極驅動方案，大幅提高IGCT器件在直流電網應用中的可靠性；（5）聯(lián)合株洲中車時代電氣股份有限公司成功研制了直流電網用4500V/5000A IGCT-Plus器件，開展了系統(tǒng)性測試驗證，IGCT-Plus在安全性、可靠性、成本和效率等方面具有顯著優(yōu)勢。經中國電機工程學會組織的科技成果鑒定，研制的器件具有完全自主知識產權，在機理模型、性能調控方法、門極驅動等方面達到國際領先水平。對于實現(xiàn)直流電網中的高可靠、低成本、高效率的電壓和功率變換，推動高壓大容量半導體器件及電力電子裝備的自主化具有重大的戰(zhàn)略意義。

ABB 5SHY4045L0001可控硅IGCT模塊

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